Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 40

Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.1 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 27
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 17.4
Скорость записи, Гб/сек

8.9 14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 3557

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM