RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
69
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2364
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link