RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
69
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
8.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2364
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link