RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 25
    Около 4% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    19.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.7 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 19.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 16.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3845

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
модули RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
модули RAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
модули RAM
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
модули RAM