RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3889
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link