RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2031
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link