RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
119
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
1.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
119
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
1.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
2.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
447
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link