RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3242
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link