Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    40 left arrow 71
    Wokół strony 44% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.9 left arrow 6.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.6 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    40 left arrow 71
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.3 left arrow 15.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.9 left arrow 6.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1789 left arrow 1650
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania