Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Puntuación global

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

40 71

En 44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.9 6.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 12.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1789 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns