RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3178
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link