RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3178
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link