RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2804
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link