RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
32
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2804
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link