RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3446
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link