RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2058
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link