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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
41
读取速度,GB/s
10.6
11.7
写入速度,GB/s
6.8
9.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2058
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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