RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3178
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link