RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2945
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link