RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
30
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3779
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link