RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
30
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3779
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link