RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3959
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link