RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2812
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link