RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link