RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
32
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
14.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3208
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link