RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3246
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link