RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
38
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
13.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3246
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link