RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
41
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
41
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2044
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link