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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
41
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2044
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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