RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
9.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
41
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2044
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link