RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3148
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link