RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
38
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
19
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3383
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link