RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
38
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
19
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
3383
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link