RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1393
3774
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link