RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2990
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link