RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3141
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link