RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2714
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link