RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2965
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link