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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
46
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
40
读取速度,GB/s
14.2
16.0
写入速度,GB/s
13.6
14.0
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2965
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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