RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
46
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
40
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
13.6
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2965
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link