RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
21.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
4250
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link