RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
46
左右 -119% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.0
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
21
读取速度,GB/s
14.2
20.9
写入速度,GB/s
13.6
21.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
4250
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link