RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2962
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link