RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
32
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2667
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-126.A02LF 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link