RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    22 left arrow 32
    Около 31% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.7 left arrow 15.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.7 left arrow 10.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    22 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.7 left arrow 15.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.7 left arrow 10.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3075 left arrow 2667

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
модули RAM
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
модули RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
модули RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
модули RAM