RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
23
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
2442
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link