Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

総合得点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

総合得点

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

22 23

周辺 4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17.7 16.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.7 8.8

テスト平均値

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

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仕様

技術仕様の完全リスト

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

22 23
読み出し速度、GB/s

17.7 16.2
書き込み速度、GB/秒

12.7 8.8
メモリ帯域幅、mbps

21300 21300

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3075 2442

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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