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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
23
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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规格
完整的技术规格清单
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
22
23
读取速度,GB/s
17.7
16.2
写入速度,GB/s
12.7
8.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3075
2442
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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