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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
101
左右 49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
101
读取速度,GB/s
9.7
14.2
写入速度,GB/s
7.2
7.0
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
1313
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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