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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
104
左右 -104% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
51
读取速度,GB/s
3,192.0
15.6
写入速度,GB/s
2,404.5
11.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2687
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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