RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
104
Около -104% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
51
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2687
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link